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41.
矩阵方程A^TXB=C的正定和半正定解 总被引:5,自引:1,他引:4
何楚宁 《高校应用数学学报(A辑)》1997,(4):475-480
给出了矩阵方程A^TXB=C在正定和半正定矩阵类中有解的充要条件及解的一般表达式。 相似文献
42.
43.
设γM(G)是连通图G=(V,E)的最大亏格,记EM^-(G)={e∈E(G)|G\e连通,且γM(G\e)=γM(G)}。若EM^-(G)≠0,则称G是γ(G)-可约的;否则称G是γM(G)-不可约的。本文证明了边的剖分不改变图的最大亏格可约性,点的扩张不改变上可嵌入图的最大亏格可约性;并给出了两类满足EM^-(G)=E(G)的非4-边连通图。 相似文献
44.
Clifford 分析中一个带位移的非线性边值问题 总被引:23,自引:0,他引:23
■Gilbert,黄沙、李生训等人对 Clifford 分析中函数性质作了一系列研究.1987年徐振远讨论了实 Clifford 分析中一个基本的边值问题,1989年黄沙、李生训利用陆启铿关于多复变函数于典型域上的调和分析的结果,研究了复 Clifford 分析中的拟变态Dirichlet 边值问题.1990年黄沙研究实 Clifford 分析中一种边值问题. 相似文献
45.
针对VO2薄膜在微测辐射热计上的应用,采用射频反应溅射法,在室温下制备氧化钒薄膜;研究了氧分压对薄膜沉积速率、电学性质及成分的影响.通过调节氧分压,先获得成分接近VO2的非晶化薄膜,再在400℃空气中氧化退火,便可制得高电阻温度系数,低电阻率的VO2薄膜,电阻温度系数约为-4%/℃,薄膜方块电阻为R□为100—300kΩ;薄膜在室温下沉积,400℃下退火的制备方法与微机电加工(micro electromechanic
关键词:
二氧化钒
电阻温度系数
氧分压
射频反应溅射法 相似文献
46.
High index of refraction via quantum interference in a three-level system of Er^3+-doped yttrium aluminium garnet crystal 下载免费PDF全文
A simple three-level system is proposed to produce high index of refraction with zero absorption in an Er^3+-doped yttrium aluminium garnet (YAG) crystal, which is achieved for a probe field between the excited state 4I13/2 and ground state 4I15/2 by adjusting a strong coherent driving field between the upper excited state 4I11/2 and 4I15/2. It is found that the changes of the frequency of the coherent driving field and the concentration of Er^3+ ions in the YAG crystal can maximize the index of refraction accompanied by vanishing absorption. This result could be useful for the dispersion compensation in fibre communication, laser particle acceleration, high precision magnetometry and so on. 相似文献
47.
This paper reports that the growth of RuOx(110) thin layer growth on Ru(0001)
has been investigated by means of scanning tunnelling microscope (STM). The STM
images showed a domain structure with three rotational domains of RuOx(110)
rotated by an angle of 120℃.
The as-grown RuOx(110) thin layer is expanded from the bulk-truncated
RuOx(110) due to the large mismatch between RuOx(110) and the
Ru(0001) substrate. The results also indicate that growth of RuOx(110)
thin layer on the Ru(0001) substrate by oxidation tends first to formation
of the Ru-O (oxygen) chains in the [001] direction of RuOx(110). 相似文献
48.
利用分子动力学方法模拟计算了单晶铜中纳米孔洞在沿〈111〉晶向冲击加载下增长的早期过程.测量发现不同加载强度下等效孔洞半径随时间近似成线性变化.观测到单孔洞增长的两种位错生长机理:加载强度较低时,只在沿着冲击加载方向的孔洞顶点附近区域有位错的成核和运动;而随着加载强度超过一定阈值,在沿冲击加载和其垂直方向的孔洞顶点区域都观察到位错的成核和运动.在前一种机理作用下,孔洞只沿加载方向增长;在后一种机理作用下,孔洞同时沿加载和垂直于加载方向增长.分析孔洞表面原子的位移历史,发现沿加载及与其垂直方向的孔洞顶点沿径向的速度基本恒定,由此提出了一个孔洞生长模型,可以解释孔洞增长的线性生长规律.
关键词:
纳米孔洞
分子动力学
冲击加载
位错 相似文献
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50.